收藏本站
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.15
1.10
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.0
1.6
1.05
1.2
1.00
0.95
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 10mA
0.8
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 75A
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.90
-100
-50 0 50 100 150
o
200
0.4
-100
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
2000
1000
100 μ s
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
300
250
100
1ms
200
10
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10ms
100ms
DC
150
Limited by package
SINGLE PULSE
100
T C = 25 C
1
o
T J = 175 C
o
50
R θ JC = 0.38 C/W
T C , Case Temperature [ C]
0.1
0.1
o
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100
0
25
50
75 100 125 o
150
175
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.1
0.2
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.38 C/W Max.
0.01
0.1
0.05
0.02
0.01
Single pulse
P DM
t 1
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
10
10
10
10
10
0.001
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration [sec]
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB024N06 Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FDB029N06 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FDB031N08 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
FDB035AN06A0 MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
FDB035N10A MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
FDB039N06 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FDB045AN08A0_F085 MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
FDB045AN08A0 MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
FDB047N10 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
相关代理商/技术参数
FDB024N08BL7 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB029N06 功能描述:MOSFET NCH 60V 2.9Mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB031N08 功能描述:MOSFET 75V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB035AN06_F085 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 80A, 3.5m??
FDB035AN06A0 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB035AN06A0 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDB035AN06A0_12 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 80A, 3.5m??
FDB035AN06A0_F085 功能描述:MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube